Pulsed laser deposition; Transmission electron microscopy; LiNbO_3; #alpha#Al_2O_3; Thin film growth; Strains;
机译:原子台阶式(0001)铌酸锂(LiNbO_3)衬底上GaN膜的外延生长
机译:高功率脉冲磁控溅射在c平面AI_2O_3(0001)上外延生长GaN(0001)期间形成两畴
机译:通过热壁化学气相沉积在4度偏轴(0001)和(0001)衬底上外延生长4H-SIC
机译:LINBO_3上的外延生长#ALPHA#AL_2O_3(0001)
机译:2-D电子材料:6h-碳化硅上石墨烯的外延生长(0001)
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:高功率脉冲磁控溅射在c面Al2O3(0001)上外延生长GaN(0001)期间形成两畴