Department of Display and Semiconductor Physics, Korea University, Sejong, KOREA ,Center for Advanced Photonic Materials, Korea University, Sejong, KOREA;
Department of Display and Semiconductor Physics, Korea University, Sejong, KOREA;
Department of Display and Semiconductor Physics, Korea University, Sejong, KOREA;
Department of Display and Semiconductor Physics, Korea University, Sejong, KOREA;
Department of Display and Semiconductor Physics, Korea University, Sejong, KOREA;
机译:SiO_2隧穿和Si_3N_4 / HfO_2俘获层是通过低温工艺在全栅无结电荷俘获闪存器件上形成的
机译:使用中性束工艺融合自上而下和自下而上的过程对碳纳米管和自组装单层器件进行无损表面处理
机译:一种基于移动质子的SiO_2薄膜非易失性MOSFET存储器件
机译:非易失性存储器件在室温下通过插入氢中性光束处理过程使用移动质子,在室温下
机译:高密度非易失性存储设备的设备设计和过程集成。
机译:光斑大小和光束整形装置对笔形束扫描质子疗法治疗计划质量的影响
机译:电场和高温辅助下的硅纳米晶非易失性存储器中的电荷俘获/发射过程