Polycrystalline silicon; Thin film; PECVD; Characterization;
机译:催化化学气相沉积制备的前驱体非晶硅薄膜的闪光灯退火形成的高质量载流子寿命在5μs以上的多晶硅薄膜
机译:使用氟化原料气在200°C下通过等离子体增强化学气相沉积制备的多晶硅薄膜
机译:AIC工艺制备的多晶硅太阳能电池种子层多晶硅膜的结构和电性能
机译:由氟化前体制备的多晶硅膜的性质
机译:使用化学退火制备的非晶硅锗膜和器件的性能。
机译:通过等离子体增强原子层沉积制备的硅氧氮薄膜的微结构化学光学和电学性质的测量
机译:起始前体如何影响溅射和硒化制备的多晶CuInGase2薄膜的性质