Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究

刘传珍; 杨伯梁; 李牧菊; 吴渊; 张玉; 廖燕平; 王大海; 黄锡珉; 邱法斌

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利用Ni金属诱导晶化(Metal Induced Crystallization, MIC)的方法制备p-Si薄膜. XRD, Raman光谱研究结果表明, a-Si/Ni经440 ℃ 2 h以上退火处理后, 形成多晶相结构. 用SEM, XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析, 并对金属Ni诱导晶化的机理进行简要的探讨.

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来源
《吉林大学学报（理学版）》 |2000年第3期|45-48|共4页
作者
刘传珍; 杨伯梁; 李牧菊; 吴渊; 张玉; 廖燕平; 王大海; 黄锡珉; 邱法斌;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

吉林大学电子工程系,长春,130023;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
Ni金属诱导晶化; 多晶硅薄膜; 低温制备; 退火处理;

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