机译:关于应变补偿GaAsp层在人工Ge / Si基材上以上1100nm以上的波长发射的indaas / gaas量子孔激光异质结构的应用
机译:通过引入应变补偿势垒层,ZnSe基激光二极管中CdZnSSe有源层具有很高的稳定性
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机译:1.06-UM InGaAs激光二极管的几乎温度不敏感特性,具有应变补偿电子阻隔层
机译:大功率近谐振1.55微米发射InGaAsP / InP反导二极管激光器阵列。
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:耦合脊形波导InP / InGaAsP二极管激光器的锁相特性
机译:Gaas键合层在提高应变层InGaas / alGaas量子阱二极管激光器OmVpE生长和性能中的作用