InGaN; Photoluminescence; MOVPE; EDX; XAFS;
机译:与InGaN层的结构和光学性质相关的铟含量测定
机译:铟掺入诱导由金属 - 有机化学气相沉积种植的高铟含量的形态学演化和应变松弛
机译:铟掺入诱导由金属 - 有机化学气相沉积种植的高铟含量的形态学演化和应变松弛
机译:具有非常高铟含量的IngaN癫痫的光学和结构性能
机译:通过高压化学气相沉积和ZGP单晶的高压化学气相沉积和振动研究生长的氮化铟外膜的光学和结构性
机译:具有不同铟含量和不同阱宽度的InGaN / GaN多量子阱基LED的电致发光特性
机译:在分子束外延生长的高铟含量Ingan癫痫患者中的缺陷,应变松弛和组成分级
机译:低铟组分体系中InGaN外延层的光学光谱