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一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构

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本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，能带渐变层为四层结构，能带渐变层一至三为N型In

著录项

公开/公告号CN105428403B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-24

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第十三研究所;
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申请/专利号CN201510919059.5
发明设计人张宇;陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;郝文嘉;于浩;
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申请日2015-12-10
分类号
代理机构石家庄国为知识产权事务所;
代理人李荣文
地址 050051 河北省石家庄市合作路113号
入库时间 2022-08-23 10:14:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-24

授权

授权
2016-04-20

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/737 申请日:20151210

实质审查的生效
2016-03-23

公开

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