STMicroelectronics, 850 rue Jean-Monnet, Crolles, 38920, France;
LPM - INSA de Lyon, Bat. Blaise Pascal, 7, avenue Jean Capelle, Villeurbanne, 69621, France;
Philips Semiconductors, 850 rue Jean-Monnet, Crolles, 38926, France;
Philips Research, Kapeldreef 7;
机译:短沟道外延锗pMOS晶体管
机译:短沟道累积模式SOI PMOS器件中的电流传导分析
机译:深亚微米双栅极全耗尽SOI PMOS器件:使用准2D方法的简明短沟道效应阈值电压模型
机译:短沟道绝缘体上锗硅pMOS FinFET的栅极感应漏极泄漏的测量和分析
机译:锗PMOS中的栅极间寄生电容最小化和源极-漏极泄漏评估。
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:功能化碳纳米管掺杂p3HT:pCBm光伏器件,用于增强短路电流和效率