National University of Singapore, Singapore, Singapore, 117576, Singapore;
Chartered Semiconductor Manufacturing, Singapore, Singapore, 738406, Singapore;
University of Valladolid, Valladolid, Valladolid, 47011, Spain;
Synopsys, Mountain View, California, 9;
机译:固相外延再生长形成的超浅结的泄漏优化
机译:化学浓度对磷注入预非晶锗固相外延生长的影响
机译:将P注入预非晶化的锗中并随后进行退火:固相外延再生,P扩散和活化
机译:通过离子注入形成的纳米多孔结构的固相外延再生
机译:硅中离子注入硼的低温固相外延再生。
机译:水热力学耦合损伤模型及其在APSE中损伤演化的数值模拟
机译:Ge损伤累积,非晶化和固相外延再生的原子建模
机译:快速再结晶和离子注入碳对硅上si(sub 1-x)Ge(sub x)合金层固相外延再生的影响