EME, Electronics Department, University of Barcelona Carrer Marti i Franques, 1, 08028 Barcelona, Spain;
机译:嵌入金属-氮化铝-氧化物-硅类型的镍纳米晶体低温度非易失性存储器应用的低温多晶硅薄膜晶体管
机译:用于低压非易失性存储技术的嵌入二氧化硅中的钨纳米晶体的电子充放电效应
机译:具有全方位栅多晶硅纳米线的低压高速编程/擦除浮栅存储器件
机译:低电压和高速硅纳米晶体存储器
机译:使用低电压(LV)和高压(HV)碳化物(SIC)器件,实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用,以及高压(HV)碳化硅(SIC)器件
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:先进的低压高速Pb(Zr1-xTix)O3铁电存储器的慢开关效应机制