Centre Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC) Campus UAB, 08193, Bellaterra, Barcelona, Spain;
机译:Ta_2Si热氧化:在4H-SiC上实现高k栅极介电质的简单途径
机译:N_2O和O_2中的Ta_2Si短时热氧化层在SiC上形成高k栅极电介质
机译:具有热氧化的Ta_2Si堆叠在SiO_2上作为高k栅极绝缘体的SiC MOSFET
机译:使用氧化Ta_2SI的4H-SIC MIS结构作为高k电介质
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:四(二甲基氨基)锆和臭氧原子层沉积生长的高k ZrO2薄膜的结构和介电性能
机译:功能性氧化物作为面向4H-SiC MOSFET的极高k介电质