机译:功能性氧化物作为向4H-SiC MOSFET引入的极高k介电常数
机译:Zr_xSi_yO_z作为4H-SiC MOSFET高介电常数的分析
机译:使用具有超薄SiO2-ALN的高k电介质叠层在4H-SIC MOSFET中获得的改进的装置特性作为界面层
机译:功能性氧化物作为面向4H-SiC MOSFET的极高k电介质
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:超薄高k栅极堆叠的介电击穿后MOSFET的恢复和电路功能