Motorola DigitalDNA Laboratories, Austin, TX 78721;
机译:在瑞士光源和上海同步辐射装置上使用EUV消色差Talbot光刻对纳米点阵列进行图案化
机译:在扫描曝光模式下使用EUV干涉光刻技术制作高分辨率大面积图案
机译:使用EUV干涉光刻的亚10纳米图案
机译:EUV光刻:图案到了道路的尽头
机译:EUV光刻系统幅度和相位瞳孔变化的测量
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:EUV光刻的幻影图案掩模缺陷检测
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。