Department of Chemical Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90095;
机译:通过溅射和化学溶液沉积氧化物通道铁电栅晶体管应用沉积的氧化铪 - 二氧化锆膜中铁电性的热稳定性
机译:氧化化学气相沉积:使用氧化化学气相沉积沉积的纳米结构未取代的聚噻吩膜:跳跃传导和热稳定性(ADV。母体。接口9/2018)
机译:金属氧化物半导体器件中以化学气相沉积作为栅介质的高k-Y {sub} 2O {sub} 3薄膜与硅集成的电流导率和介电行为
机译:通过快速热化学气相沉积(RT-CVD)作为替代栅极电介质沉积的超薄氧化锆膜
机译:快速热化学气相沉积的氮氧化物用于先进的栅极电介质。
机译:通过原子层沉积和化学气相沉积在高纵横比结构中沉积的薄膜的ToF-SIMS 3D分析
机译:用于高k栅极电介质的氧化锆和氧化f薄膜的沉积,稳定化和表征
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。