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Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California
Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California
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1.
THIN-FILM-EDGE-INDUCED STRESSES IN SUBSTRATES
机译:
薄膜边缘引起的薄膜应力
作者:
S.P. Wong
;
H.J. Peng
;
Shounan Zhao
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
2.
Ultra-Thin Zirconium Oxide Films Deposited by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition (RT-CVD) as Alternative Gate Dielectric
机译:
通过快速热化学气相沉积(RT-CVD)沉积的超薄氧化锆膜作为替代栅介质
作者:
Jane P. Chang
;
You-Sheng Lin
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
3.
Silicide Formation for Ni and Pd Bilayers on Si(100) Substrates
机译:
Si(100)衬底上的Ni和Pd双层硅化物的形成
作者:
Xin-Ping Qu
;
C. Detavernier
;
R. L. Van Meirhaeghe
;
F. Cardon
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
4.
The influence of Ti and TiN on the thermal stability of CoSi_2
机译:
Ti和TiN对CoSi_2热稳定性的影响
作者:
C. Detavernier
;
Guo-Ping Ru
;
R.L. Van Meirhaeghe
;
K. Maex
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
5.
Reduction of Whisker-Originated Short between W Polymetal and Contact Plug
机译:
减少W多金属与触点插头之间晶须产生的短路
作者:
Yasushi Akasaka
;
Hiroshi Suzuki
;
Yuji Yokoyama
;
Nobuaki Yasutake
;
Hitomi Yasutake
;
Susumu Yoshikawa
;
Yusuke Kohyama
;
Yoshio Ozawa
;
Katsuhiko Hieda
;
Kyoichi Suguro
;
Toshihiro Nakanishi
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
6.
A Study on Solid Phase Reactions of Ni and Pt on Si-Ge Alloys as Contacts to Ultra-Shallow P~+N Junctions for CMOS Technology Nodes Beyond 70nm
机译:
Ni-Pt在Si-Ge合金上固相反应与70nm以上CMOS工艺节点的超浅P〜+ N结接触的研究
作者:
Jing Liu
;
Hongxiang Mo
;
Mehmet C. Oeztuerk
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
7.
A STUDY ON THE POLYCRYSTALLINE SILICON GERMANIUM GATE ELECTRODE FABRICATION TECHNOLOGY FOR COBALT SILICIDE PROCESS
机译:
硅化钴工艺中多晶硅硅锗门电极的制备技术研究
作者:
Hidekazu Sato
;
Takae Sukegawa
;
Toshifumi Mori
;
Kousuke Suzuki
;
Haruhisa Mori
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
8.
Investigation on the Thermal and Electrical Properties of Ti-Si-O Film Formed by the Composite Sputtering Deposition
机译:
复合溅射沉积形成Ti-Si-O薄膜的热电性能研究
作者:
Akira Nishiyama
;
Akio Kaneko
;
Masato Koyama
;
Yoshiki Kamata
;
Ikuo Fujiwara
;
Masahiro Koike
;
Masahiko Yoshiki
;
Mitsuo Koike
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
9.
High Permittivity Oxide Gate Stacks on Silicon Incorporating UHV Silicon Nitride Interfacial Layers
机译:
结合了UHV氮化硅界面层的硅上的高介电常数氧化物栅堆叠
作者:
Mark A. Shriver
;
Ann M. Gabrys
;
T. K. Higman
;
S. A. Campbell
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
10.
Engineered tantalum aluminate and hafnium aluminale ALD films for ultrathin dielectric films with improved electrical and thermal properties
机译:
工程铝酸钽和铝aALD膜用于超薄介电膜,具有改善的电学和热学性能
作者:
Robert B. Clark-Phelps
;
Anuranjan Srivastava
;
Lance Cleveland
;
Thomas E. Seidel
;
Ofer Sneh
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
11.
Effect of Pre-cooling Treatment on the Formation of C54 Phase Titanium Silicide
机译:
预冷处理对C54相硅化钛形成的影响
作者:
Lin Zhang
;
Yong Keun Lee
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
12.
Electrical Characteristics of TaO_xN_y/ZrSi_xO_y Stack Gate Dielectric for MOS Device Applications
机译:
用于MOS器件应用的TaO_xN_y / ZrSi_xO_y叠栅电介质的电气特性
作者:
Hyungsuk Jung
;
Hyundoek Yang
;
Kiju Im
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
13.
Direct Formation of C54 Phase on the Basis of C40 TiSi_2 and Its Applications in Deep Sub-Micron Technology
机译:
基于C40 TiSi_2的C54相直接形成及其在深亚微米技术中的应用
作者:
S. Y. Chen
;
Z. X. Shen
;
S. Y. Xu
;
A. K. See
;
L. H. Chan
;
W. S. Li
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
14.
CHALLENGES IN INTEGRATING THE HIGH-K GATE DIELECTRIC FILM TO THE CONVENTIONAL CMOS PROCESS FLOW
机译:
将高K栅极介电膜集成到常规CMOS工艺流程中的挑战
作者:
Avinash Agarwal
;
Michael Freiler
;
Pat Lysaght
;
Loyd Perrymore
;
Renate Bergmann
;
Chris Sparks
;
Bill Bowers
;
Joel Barnett
;
Deborah Riley
;
Yudong Kim
;
Billy Nguyen
;
Gennadi Bersuker
;
Eric Shero
;
Jae E. Lim
;
Steven Lin
;
Jerry Chen
;
Robert W. Murto
;
Howard R.
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
15.
Annealing Behaviour of WSi_x Films Prepared By CVD
机译:
CVD法制备WSi_x薄膜的退火行为
作者:
M. Katiyar
;
G. S. Samal
;
R. K. Gupta
;
Deepak
;
P. K. Sahoo
;
V. N. Kulkarni
;
O. Adetutu
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
16.
ALTERNATING LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (ALD) OF METAL SILICATES AND OXIDES FOR GATE INSULATORS
机译:
栅极绝缘子的金属硅酸盐和氧化物的交替层化学气相沉积(ALD)
作者:
Roy G. Gordon
;
Jill Becker
;
Dennis Hausmann
;
Seigi Sun
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
17.
Dual Work Function CMOS Gate Technology Based on Metal Interdiffusion
机译:
基于金属互扩散的双功函数CMOS栅极技术
作者:
Igor Polishchuk
;
Pushkar Ranade
;
Tsu-Jae King
;
Chenming Hu
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
18.
Development of Polycide Application and Control of Process Conditions on DCS Based WSi_x
机译:
在基于DCS的WSi_x上进行多晶化物应用和工艺条件控制的开发
作者:
Young-Kyou Park
;
Jaihyung Won
;
Ju-Hwan Park
;
Jung-Ho Park
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
19.
Detecting Impurities in the Ultra Thin Silicon Oxide Layer By Hg-Schottky Capacitance-Voltage (CV) Method
机译:
汞-肖特基电容电压(CV)法检测超薄氧化硅层中的杂质
作者:
D. Liu
;
Q. Wang
;
H. Paravi
;
V. Drobny
;
J. Moquin
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
20.
ATOMIC SCALE NITRIDATION OF SILICON OXIDE SURFACES BY REMOTE-PLASMA-EXCITED NITROGEN
机译:
等离子体等离子体激发氮原子氧化氧化硅表面
作者:
Yoji Saito
;
Koichi Tokuda
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
21.
X-Ray Techniques for Silicides
机译:
硅化物的X射线技术
作者:
Douglas J. Tweet
;
Jer-shen Maa
;
Sheng Teng Hsu
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
22.
Transistors Built With ZrO_2 And HfO_2 Deposited From Nitratos
机译:
用Nitratos沉积的ZrO_2和HfO_2制成的晶体管
作者:
Stephen A. Campbell
;
Noel Hoilien
;
Tiezhong Ma
;
Fang Chen
;
Ryan Smith
;
Wayne Gladfelter
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
23.
Stability Improvement of Nickel Silicide with Co Interlayer on Si, Polysilicon and SiGe
机译:
Si,多晶硅和SiGe上具有Co中间层的硅化镍稳定性的提高
作者:
Jer-shen Maa
;
Douglas J. Tweet
;
Yoshi Ono
;
Lisa Steeker
;
Sheng Teng Hsu
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
24.
The Electrical Characteristics of the MOSCAP Structures with W/WN_x/poly Si_(1-x)Ge_x Gates Stack
机译:
具有W / WN_x / poly Si_(1-x)Ge_x栅堆叠的MOSCAP结构的电学特性
作者:
S. -K. Kang
;
J. J. Kim
;
D. -H. Ko
;
T. H. Ahn
;
I. S.Yeo
;
T. W. Lee
;
Y. H. Lee
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
25.
Preliminary First Principles Study Of Hf and Zr Aluminates as Replacement High-k Dielectrics
机译:
Hf和Zr铝酸盐作为替代高k电介质的初步原理研究
作者:
Michael Haverty
;
Atsushi Kawamoto
;
Gyuchang Jun
;
Kyeongjae Cho
;
Robert Dutton
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
26.
Promising Gate Stacks with Ru RuO_2 Gate Electrodes and Y-silicate Dielectrics
机译:
具有Ru和RuO_2栅电极和Y硅酸盐电介质的有前途的栅堆叠
作者:
Huicai Zhong
;
Greg Heuss
;
You-Seok Suh
;
Shin-Nam Hong
;
Veena Misra
;
Jason Kelly
;
Gregory Parsons
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
27.
A COMPARATIVE STUDY OF NICKEL SILICIDE FORMATION USING A TITANIUM CAP LAYER AND A TITANIUM INTERLAYER
机译:
钛盖层和钛夹层形成镍硅化物的比较研究
作者:
W.L. Tan
;
K. L. Pey
;
Simon Y.M. Chooi
;
J.H. Ye
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
28.
Materials and Physical Properties of Novel High-k and Medium-k Gate Dielectrics
机译:
新型高k和中k栅极介电材料的材料和物理性质
作者:
Ran Liu
;
Stefan Zollner
;
Peter Fejes
;
Rich Gregory
;
Shifeng Lu
;
Kim Reid
;
David Gilmer
;
Bich-Yen Nguyen
;
Zhiyi Yu
;
Ravi Droopad
;
Jay Curless
;
Alex Demkov
;
Jeff Finder
;
Kurt Eisenbeiser
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
29.
Molybdenum Gate Electrode Technology For Deep Sub-Micron CMOS Generations
机译:
适用于深亚微米CMOS世代的钼栅电极技术
作者:
Pushkar Ranade
;
Ronald Lin
;
Qiang Lu
;
Yee-Chia Yeo
;
Hideki Takeuchi
;
Tsu-Jae King
;
Chenming Hu
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
30.
Increased Thermal Stability of Co-silicide Using Co-Ta Alloy Films
机译:
使用钴钽合金薄膜提高钴硅化物的热稳定性
作者:
Min-Joo Kim
;
Hyo-Jick Choi
;
Dae-Hong Ko
;
Ja-Hum Ku
;
Siyoung Choi
;
Kazuyuki Fujihara
;
Ho-Kyu Kang
;
Hoo-Jeung Lee
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
31.
Effects of a Ta Interlayer on the Titanium Silicide Reaction: C40 Formation and Higher Scalability of the TiSi_2 Process
机译:
Ta夹层对硅化钛反应的影响:C40的形成和TiSi_2工艺的更高可扩展性
作者:
F. La Via
;
S. Privitera
;
F. Mammoliti
;
M.G. Grimaldi
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
|
2001年
32.
Electrical Performance and Scalability of Ni-monosilicide towards sub 0.13 μm Technologies
机译:
单硅化镍对小于0.13μm技术的电学性能和可扩展性
作者:
Anne Lauwers
;
Muriel de Potter
;
Richard Lindsay
;
An Steegen
;
Nico Roelandts
;
Fred Loosen
;
Christa Vrancken
;
Karen Maex
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
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2001年
33.
ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF CATALYTIC-NITRIDED SiO_2 FILMS
机译:
催化硝化SiO_2薄膜的电和结构性质
作者:
Akira Izumi
;
Hidekazu Sato
;
Hideki Matsumura
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
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2001年
34.
ELECTRICAL AND STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF ULTRA-THIN TiO_2/Ti-Si-O STACKED GATE INSULATOR FORMED BY RF SPUTTERING TECHNIQUE
机译:
射频溅射技术制备超薄TiO_2 / Ti-Si-O叠层门绝缘子的电气和结构特性
作者:
M.Koyama
;
A.Kaneko
;
M.Koike
;
I.Fujiwara
;
M.Yabuki
;
M.Yoshiki
;
M.Koike
;
A.Nishiyama
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
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2001年
35.
CoSi_2 formation using a Ti capping layer ― The influence of processing conditions on CoSi_2 nucleation
机译:
使用Ti覆盖层形成CoSi_2 ―工艺条件对CoSi_2成核的影响
作者:
C. Detavernier
;
R.L. Van Meirhaeghe
;
K. Maex
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
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2001年
36.
Characterisation of TiO_2 films grown at low temperatures for alternative gate dielectric application
机译:
低温生长的TiO_2薄膜的特性用于替代栅介质应用
作者:
Jun-Ying Zhang
;
Ian W. Boyd
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
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2001年
37.
Chemical Vapor Deposition of Titania/Silica and Zirconia Films
机译:
二氧化钛/二氧化硅和氧化锆膜的化学气相沉积
作者:
Wayne L. Gladfelter
;
Ryan C. Smith
;
David Burleson
;
Charles J. Taylor
;
Jeffrey T. Roberts
;
Stephen A. Campbell
;
Noel Hoilien
;
Mike Tiner
;
Rama Hegde
;
Christopher Hobbs
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
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2001年
38.
Comparison of Conductance and Capacitance techniques for Measurement of Interface States in Thin Oxides
机译:
测量薄氧化物中界面态的电导和电容技术的比较
作者:
T. K. Higman
会议名称:
《Symposium on Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II, Apr 17-19, 2001, San Francisco, California》
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2001年
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