Fujitsu Ltd., Atsugi 243-0197, Japan;
Fujitsu Ltd., Atsugi 243-0197, Japan;
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi 243-0197, Japan;
Fujitsu Ltd., Atsugi 243-0197, Japan;
机译:具有低于50nm栅极的基于InP的超高速HEMT-侧栅极凹槽和寄生电阻对高速性能的影响
机译:具有低于50nm栅极的基于InP的超高速HEMT-侧栅极凹槽和寄生电阻对高速性能的影响
机译:基于超高速INP的底部,具有Sub-50-nm栅极 - 侧栅凹槽的影响和寄生电阻高速性能
机译:基于INP的垫片适用于超高速MMICS制造
机译:使用氮化镓HEMT的毫米波宽带功率放大器MMIC的开发。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:高性能MMIC,具有亚瑟倍率波的基础垫片
机译:具有亚毫米波Inp的HEmT的高性能mmIC