A 65nm Pure CMOS one-time programmable memory using a two-port antifuse cell implemented in a matrix structure

机译：一个采用两端口反熔丝单元以矩阵结构实现的65nm纯CMOS一次性可编程存储器

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A pure CMOS one-time programmable (PCOP) memory using an antifuse is presented. PCOP memory adopts two-port cell architecture implemented in a matrix structure. This architecture achieves optimization of performance both for programming and reading. Furth

机译：提出了使用反熔丝的纯CMOS一次性可编程（PCOP）存储器。 PCOP存储器采用以矩阵结构实现的两端口单元架构。这种架构实现了编程和读取性能的优化。远距离

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来源
《Solid-State Circuits Conference, 2007 IEEE Asian》|2007年|P.212-215|共4页
会议地点 Jeju CityKorea (South)
作者
Matsufuji; K.; Namekawa; T.; Nakano; H.; Ito; H.; Wada; O.; Otsuka; N.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
CMOS logic circuits; CMOS memory circuits; PROM; memory architecture; CMOS logic technology; PCOP memory; matrix structure; pure CMOS one-time programmable memory; size 65 nm; storage capacity 8 Kbit; two-port antifuse cell; write disturb problem;

机译：CMOS逻辑电路； CMOS存储电路；舞会;内存架构； CMOS逻辑技术； PCOP内存；矩阵结构纯CMOS一次性可编程存储器；尺寸65 nm;存储容量8 Kbit；两端口反熔丝电池；写打扰问题;

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