KTH Royal Institute of Technology, 164 40 Kista, Sweden;
KTH Royal Institute of Technology, 164 40 Kista, Sweden;
KTH Royal Institute of Technology, 164 40 Kista, Sweden;
KTH Royal Institute of Technology, 164 40 Kista, Sweden;
Silicon carbide (SiC); bipolar transistor (BJT); Darlington pair; high temperature;
机译:用于低压应用的4H-SiC达林顿晶体管的高温特性
机译:脉冲功率应用大电流光学达林顿晶体管的设计与表征
机译:超高压绝缘栅双极晶体管的多层多层4H-SiC的外延生长和表征
机译:4H-SiC Darlington晶体管用于低压应用的高温表征
机译:用于低压逻辑应用的III-V隧道场效应晶体管的制造与表征。
机译:用于压力传感应用中的柔性低压有机场效应晶体管的溶液处理双层电介质
机译:基于低压聚合物 - 电介质的有机场效应晶体管和应用