公开/公告号CN106058047B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 华南师范大学;
申请/专利号CN201610527964.0
申请日2016-07-06
分类号H01L51/05(20060101);H01L51/40(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构44425 广州骏思知识产权代理有限公司;
代理人吴静芝
地址 510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
入库时间 2022-08-23 10:20:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-30
授权
授权
2016-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/05 申请日:20160706
实质审查的生效
2016-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20160706
实质审查的生效
2016-10-26
公开
公开
2016-10-26
公开
公开
机译: 一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法,边界层还原法,高介电常数栅绝缘膜,高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管,
机译: 包括高阻栅修整,栅极蚀刻和高介电常数去除的包括高K栅介电层的晶体管栅的制造工艺
机译: 一种低压柔性有机薄膜晶体管及其制造方法