Center for Emerging Electric Devices and Systems School of Material Science and Engineering Gwangju Institute of Science and Technology Oryong-dong 1 Buk-gu Gwangju Korea 61005;
Center for Emerging Electric Devices and Systems School of Material Sc;
Strips; Annealing; Hydrogen; Nickel; Graphene; Doping;
机译:半甲型GE1-XSNX和SN层间在金属/ N-GE接口处的FERMI水平的调制
机译:优化石墨烯-TiO2界面性能,通过FERMI水平调节进行光催化有机化合物的光催化降解
机译:APS -APS 3月会议2017 - 事件 - 采用石墨烯扩散屏障形成的完整金属/ SI接口的强力费米级固定
机译:石墨烯和金属界面处的费米水平调制
机译:石墨烯费米能级调整及其应用
机译:悬浮石墨烯背衬器件中费米能量的动态调制
机译:石墨烯/硅界面处的弱费米级钉固定的起源
机译:金属势垒 - 超导体隧穿元件中光频率和光电发射的费米能级调制