Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical and Computer Engineering Seoul National University Gwanak-ro Gwanak-gu Seoul 151-742 Republic of Korea;
Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and Depart;
Field effect transistors; Delays; Resistance; Parasitic capacitance; Performance evaluation; Nanoscale devices; Doping profiles;
机译:全方位栅纳米线FET,鳍式FET和完全耗尽的SOI FET的低温电特性比较
机译:无结双栅极FET的亚阈值特性的紧凑模型,包括源极/漏极扩展区
机译:紧凑型建模连接无连接双栅FET的特性,包括源/排水区
机译:考虑RC延迟和电气特性的纳米胎FET延伸区域分析
机译:美国北部中部地区合作扩展系统中的食品安全教育过程分析。
机译:一项多中心开放标签扩展试验评估托伐普坦在常染色体显性多囊肾疾病中早期治疗与延迟治疗的长期疗效和安全性:TEMPO 4:4试验
机译:全栅无结纳米线晶体管电学特性的仿真与有限元分析