机译:无结双栅极FET的亚阈值特性的紧凑模型,包括源极/漏极扩展区
Yonsei Univ, Dept Elect & Elect Engn, Seoul, South Korea;
Yonsei Univ, Dept Elect & Elect Engn, Seoul, South Korea;
Junctionless double-gate FET; Compact model; Source/drain extension regions; Poisson equation; Subthreshold region;
机译:紧凑型建模连接无连接双栅FET的特性,包括源/排水区
机译:具有源极/漏极耗尽效应的短沟道无结圆柱型环绕栅MOSFET的亚阈值电流的紧凑模型
机译:双门无结晶体管在亚阈值区域的量子电子密度的紧凑模型
机译:亚阈值区域内无结DG MOSFET的二维分析电势建模,包括计算阈值电压的建议
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:使用隧道FET中的SiGe源/漏区提高ESD保护的鲁棒性
机译:完全耗尽的源极/漏极UTB SOI MOSFET亚阈值特性的建模和仿真,包括衬底引起的表面电势效应