Department of Materials Science, University of California, 577 Evans Hall, Berkeley CA 94720-1760, USA;
Department of Materials Science, University of California, 577 Evans Hall, Berkeley CA 94720-1760, USA Institute of Physics of St.-Petersburg State University,St.-Petersburg, 198904 Russia;
Department of Materials Science, University of California, 577 Evans Hall, Berkeley CA 94720-1760, USA;
Department of Materials Science, University of California, 577 Evans Hall, Berkeley CA 94720-1760, USA;
Department of Materials Science, University of California, 577 Evans Hall, Berkeley CA 94720-1760, USA;
silicon; copper; iron; photovoltaics; microdefects; SPV;
机译:使用新型多层多孔硅叠层的无外延薄硅箔无缝层转移,具有近100%的分离率和大的少数载流子扩散长度
机译:桥接硅纳米线中的少数载流子扩散长度长。
机译:由具有短少数载流子扩散长度的晶体硅制成的柱状阵列太阳能电池的转换效率得到提高
机译:硅的少数竞赛载波扩散长度降解:谁是罪魁祸首?
机译:晶体硅的铝吸杂剂可改善少数载流子扩散长度并用于基本扩散机理的研究。
机译:使用原子层沉积改善硅纳米线阵列中载流子扩散长度
机译:使用基于同步加速器的光谱分辨X射线束感应电流量化富金属沉淀物对多晶硅中少数载流子扩散长度的影响
机译:重掺杂硅中少数载流子寿命,迁移率和扩散长度的测量