机译:离子注入硼快速热退火过程中升温速率对超浅结形成的影响
机译:离子注入硼快速热退火过程中升温速率对超浅结形成的影响
机译:与传统的尖峰退火溶液共注入以形成45 nm n型金属氧化物半导体超浅结
机译:灯基或热壁式快速热退火系统中的超浅结形成:增加速率的效果
机译:基于铜-铟-镓-二硒化物的薄膜太阳能电池的脉冲激光退火和快速热退火。
机译:通过硅衬底上溅射的Ge / Sn / Ge层的快速热退火合成Ge1-xSnx合金薄膜
机译:脉冲激光退火,用于形成用于纳米级金属氧化物半导体技术的超浅线
机译:(111)pt基底上快速热退火锆钛酸铅薄膜的取向