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Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference
Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference
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1.
Strain relaxation and dopant distribution in the rapid thermal annealing of Co with Si/Si_1-xGe_x/Si heterostructure
机译:
用Si / Si_1-Xge_x / Si异质结构CO的快速热退火中应变松弛和掺杂剂分布
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
2.
Ultra-shallow junction formation by spike annealing in a lamp-based or hot-walled rapid thermal annealing system: effect of ramp-up rate
机译:
灯基或热壁式快速热退火系统中的超浅结形成:增加速率的效果
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
3.
Formation of contacts to shallow junctions using titanium silicide with diffusion barriers
机译:
使用具有扩散屏障的硅化钛的硅化物形成与浅连接的接触
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
4.
Rapid thermal oxidation of porous silicon for surface passivation
机译:
用于表面钝化的多孔硅的快速热氧化
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
5.
Rapid thermal oxidation of highly in situ phosphorus doped polysilicon thin films
机译:
高度原位磷的快速热氧化掺杂多晶硅薄膜
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
6.
The initial stages of Si thin deposits on foreign substrates in a rapid thermal chemical vapor phase reactor
机译:
快速热化学气相反应器中外底沉积物对异物的初始阶段
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
7.
Selective doping of silicon by rapid thermal and laser assisted processes
机译:
快速热和激光辅助工艺选择性掺杂硅
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
8.
Epitaxial growth of SiGe layers for BiCMOS applications
机译:
用于BICMOS应用的SiGe层外延生长
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
关键词:
Heterojunction bipolar transistor;
SiGe epitaxy;
Misfit dislocations;
Critical layer thickness;
Single wafer epitaxy;
BiC-MOS process;
9.
Effect of stress on silicide formation kinetics in thin film titanium-selicon system
机译:
胁迫对薄膜钛 - Selicon系统中硅化物形成动力学的影响
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
10.
Perspectives on emissivity measurements and modeling in silicon
机译:
硅发射率测量和建模的透视图
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
11.
Rapid thermal processing technology for the 21st century
机译:
21世纪的快速热加工技术
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
12.
Rapid thermal magnetic annealing as an emerging technology in field-annealing of thin magnetic films for recording heads
机译:
快速热磁性退火作为薄磁膜的现场退火的新兴技术,用于记录头部
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
13.
Rapid thermal annealing applied to the optimization of titanium oxide arc
机译:
快速热退火应用于氧化钛弧的优化
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
14.
Influence of vapor phase pre-oxide-cleaning on the oxidation characteristics
机译:
气相预氧化物清洁对氧化特性的影响
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
15.
Ultra high temperature rapid thermal annealing of GaN
机译:
GaN的超高温快速热退火
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
16.
Rapid thermal annealing of Zr/SiGeC contacts
机译:
Zr / Sigec触点的快速热退火
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
17.
Growth and physical properties of in situ phosphorus-doped RTLPCVD polycrystalline silicon thin films
机译:
原位磷掺杂RTLPCVD多晶硅薄膜的生长和物理性质
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
18.
Deposition and crystallization of a-Si thin films by rapid thermal processing
机译:
通过快速热处理沉积和结晶A-Si薄膜
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
19.
Modelling and Off-Line Optimization of a 300 mm Rapid Thermal Processing System
机译:
300 mm快速热处理系统的建模与离线优化
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
20.
Phosphorus diffusion from a spin-on doped glass (SOD) source during rapid thermal annealing
机译:
快速热退火过程中磷从旋转掺杂玻璃(SOD)源的扩散
会议名称:
《Symposim on rapid thermal processing of the E-MRS conference》
|
1999年
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