Institute of Applied Physics, University of Tsukuba 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, 305-8573, Japan;
机译:GaAs(311)B衬底上制造的多堆叠InGaAs / GaNAs量子点太阳能电池的光学特性
机译:具有1.2 eV能隙的无势垒InGaAs / GaNAs多量子阱太阳能电池设计
机译:基于InP的晶格匹配InGaAsP和应变补偿InGaAs / InGaAs量子阱电池,用于热光电应用
机译:用于太阳能电池应用的可能调制的GaAs / GANAS / INGAAS量子阱
机译:通过使用应变平衡和分布布拉格反射器优化InGaAs量子阱,改善GaAs太阳能电池中的子带隙载体收集
机译:硅衬底上直接生长的InAs / InGaAs / GaAs量子点太阳能电池
机译:基于InP的晶格匹配InGaAsP和应变补偿InGaAs / InGaAs量子阱电池,用于热光电应用