Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle, Germany;
机译:具有低电阻的GaAs // Si和GaN // GaAs晶片的室温键合
机译:通过电流注入到通过晶片键合制造的GaAs / AIGaAs耦合多层腔中的室温双色激光
机译:半导体层间粘接制造的高性能室温IngaAs / Si单光子雪崩二极管的理论预测
机译:Si与GaAs的室温超高压键合
机译:氢键作用下的N-杂芳酸吸附剂结构:全面的UHV-STM / XPS / RAIRs研究
机译:具有优化的GaAsSbN覆盖层的InAs / GaAs量子点的长波长室温发光
机译:GaAs-Ingaas-Gaas Fin阵列(001)Si基板上的隧道二极管,房间温度峰值与谷电流比为5.4
机译:在单片Gaas / si衬底上制备的Gaas / alGaas二极管激光器的室温操作