首页> 中文会议>第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 >室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格磁学性质研究

室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格磁学性质研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

通过在不同温度下进行Mn离子注入然后进行热退火,在GaAs/AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒.采用原子力显微镜,能量散射X射线谱,X射线衍射和交变梯度磁强计研究了材料的结构和磁学性质.通过比较它们的饱和磁比强度Ms,剩余磁化强度Mr,矫顽力Hc和剩磁比Sq,我们认为350℃下注入的样品含有MnGa和MnAs两种磁性颗粒,而室温注入的样品主要含有MnAs颗粒.

著录项

来源
《第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会》|2003年|246-250|共5页
会议地点北京
作者
王春华; 陈涌海; 王占国;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类掺杂;
关键词
离子注入; 磁性颗粒; 半导体;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质 [J] . 王春华 ,陈涌海 ,王占国 . 半导体学报：英文版 . 2004,第10期
2. GaAs/AlGaAs超晶格微带带宽的计算 [J] . 贺利军 ,程兴奎 ,李华 . 半导体学报：英文版 . 2006,第1期
3. GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光 [J] . 贺利军 ,程兴奎 ,张健 . 量子光学学报 . 2006,第3期
4. 掺杂GaAs/AlGaAs超晶格的激发态向受主中心跃迁的发光 [J] . 李华 ,程兴奎 ,周均铭 . 红外 . 2005,第008期
5. 氢等离子体处理对GaAs/AlGaAs超晶格材料性能的影响 [J] . 王卿璞 ,张德恒 ,薛忠营 . 山东大学学报：理学版 . 2002,第3期
6. 短周期AlGaAs／GaAs超晶格的MOCVD生长及调射线衍射研究 [C] . 王向武 ,程祺祥 . 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 . 1998
7. 超晶格GaAs/AlGaAs的电子态的研究 [A] . 杨帆 . 2010

室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格磁学性质研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅