Dept. of Electrical Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75083;
机译:石英(SOQ)晶片上的单晶硅通过超低温(100℃)晶片键合和减薄方法
机译:使用柱状凸点和光敏胶的简化低温晶圆级混合键合,用于三维集成电路集成
机译:在各种环境和表面条件下对(111)和(100)硅片进行低温直接键合的研究
机译:晶圆键合的CdZnTe(211)B / Si(100)低温集成
机译:通过低温芯片对晶圆键合将铟镓砷MSM阵列与硅平台进行3D集成。
机译:低温键合法制备的LNOI / Si杂化晶片铌酸锂薄膜层中的残余应力
机译:用于三维晶片级集成的低温晶片键合