VTT Infonnation Technology, Tietotie 3, 02150 Espoo, Finland;
机译:Nanogap增强红外光谱与掩埋的等离子体腔的模板剥离晶圆规模阵列。
机译:通过多步植入提高SOI晶片中掩埋氧化物的总剂量耐受性
机译:氮剂量对SOI晶片中氮注入掩埋氧化物电荷密度的影响
机译:具有埋腔的SOI晶片
机译:SOI MOSFET通过掩埋机身接触晶圆键合
机译:离子轰击诱导掩埋的横向生长:合成单晶金刚石晶片的关键机制
机译:高峰功率光学泵浦的AlGainAS通过硅晶片作为输出耦合器的硅晶片:堆叠腔与单独腔之间的比较