School of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, 151-742, Korea;
机译:掺铁半绝缘4H-SiC外延层的同质外延生长和电学表征
机译:使用双三甲基甲硅烷基甲烷前驱体通过金属有机化学气相沉积法同质外延生长6H-SiC薄膜
机译:无微管4H-SiC在4H-SiC {0 3(3)上方8}晶种和高纯度半绝缘6H-SiC上的晶体生长
机译:通过双三甲基甲硅烷甲烷和二氧化烯前体进行铁掺杂的4H-SiC的同性端生长,用于半绝缘SiC
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:1°偏角的4H-SiC硅面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:低压热壁化学气相沉积4H-siC外延层的同质外延生长及表征