NiN 電極を有するマイクロ波整流用GaN ショットキーバリアダイオード

摘要

近年、スマートフォンの置き型充電などの普rn及と共にマイクロ波を用いた無線電力伝送技rn術に注目が集まっている。この技術のマイクロrn波受信側であるレクテナ回路のRF/DC 変換効rn率は，整流部で使用されるショットキーバリアrnダイオード（SBD）の立ち上がり電圧や逆方向rnリーク電流などの特性が影響することが知らrnれている。我々が以前報告したSBD は，Ni のrn代わりにTiN をショットキー電極として用いrnて低い立ち上がり電圧を実現したものであっrnた[1]。しかし，TiN 電極はその低いショットキrnー障壁からNi に比べ逆方向リーク電流が大きrnくなる課題を含んでいた[2]。そこで今回我々rnは，逆方向リーク電流の低減に着目し，Ni よrnりも仕事関数の高いNiN を電極としたSBD にrnついて報告する。