非平衡酸窒素プラズマアシストPLD 法によるZnO 薄膜の製膜Ⅱ

摘要

窒素を用いた大気圧非平衡プラズマ中に存在するN2 2nd positive system(N2 2ps) 1) やNO-systemrn(NO- などの活性種の減圧下における寿命や酸素添加の効果などを検討しており、大気から1 Torrrn程度まで減圧してもこれらの活性種を利用できることが明らかになっている3)。これまでに、これらrnの活性種を用いたプラズマCVD法によりZnO薄膜を作成し、電子濃度の大幅な低減と窒素のドーピンrnグに成功している4)。本プラズマをアシスト源として用いたPLD法によって作製されたZnO薄膜中にrnおいても窒素の固溶は確認されたが、電子濃度の低減には至らなかった3)。放電領域から3cm程度離rnれた基板部分における酸化に寄与できる活性種を増加させる必要があると考え、窒素ガスへの酸素rn添加依存性や放電電圧依存性について検討した。