Process Technology Development, ATG, Fairchild Semiconductor, South Portland, ME USA;
机译:具有埋入式超结层的超低比导通电阻700V LDMOS
机译:具有浮动侧场板的超低比导通电阻沟槽SOI LDMOS
机译:高侧应用中具有浅沟槽隔离的n型横向DMOS晶体管的热载流子导通电阻衰减
机译:新型侧向700V DMOS用于集成:超低85米米Ω · cm 2 sup>导通电阻,750V LFCC
机译:互补的EDMOS晶体管以标准的0.35μmCMOS技术集成在40V应用中。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:具有自偏置累积层的超低特定导通电阻高压PLDMO的仿真研究