Eugene Technology, Yongin 449-824, Korea;
Eugene Technology, Yongin 449-824, Korea;
Eugene Technology, Yongin 449-824, Korea;
Eugene Technology, Yongin 449-824, Korea;
Department of Chemical Engineering and Division of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon 443-749, Korea;
Department of Chemical Engineering and Division of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon 443-749, Korea;
机译:双频感应耦合等离子体化学气相沉积法沉积氢化硅薄膜的研究
机译:N_2O / SiH_4流量比对电感耦合等离子体化学气相沉积法制备非晶硅氧化物薄膜的影响及其在硅表面钝化中的应用
机译:先进的低电子温度微波激发高密度等离子体系统在低温(400)和高生长速率下用于半导体器件制造的氧化硅和氮化硅薄膜的生长
机译:一种使用双旋转螺旋天线系统通过电感耦合高密度等离子体获得的薄二氧化硅薄膜的形成与表征
机译:对二氧化硅膜的热化学气相沉积(CVD)和多晶硅膜的高密度等离子体CVD过程中颗粒形成和传输的研究。
机译:用于无线供电的神经接口系统的薄膜柔性天线和硅CMOS整流器芯片的协同设计方法和晶圆级封装技术
机译:高密度等离子体中二氧化硅膜的低温沉积
机译:硅氧化研究:siO2和si-siO2界面物理和化学中薄膜二氧化硅形成的最新研究综述