形成用于薄膜晶体管结构的电感耦合高密度等离子体膜的方法

摘要

本公开的实施方式一般涉及制造薄膜晶体管(TFT)的方法。更具体地，本文描述的实施方式涉及使用电感耦合等离子体高密度等离子体工艺在金属氧化物层之上沉积绝缘层以提高电子迁移率的方法。高密度等离子体包括大于1.0E11/cm3的电子或离子等离子体密度。金属氧化物层用由N2O气体或N2O气体与氩气形成的电感耦合等离子体进行预处理。由SiH4气体和N2O气体形成的电感耦合等离子体用于沉积绝缘层，例如氧化硅层。氧化硅层为蚀刻停止层，或者氧化硅层为TFT结构的钝化层。本公开内容用于MO TFT结构和互补MO TFT和LTPS TFT结构。