Grupo de Electronica y Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad Autonoma de Madrid, c/ Francisco Tomas y Valiente 7, Madrid 28049, Spain;
Grupo de Electronica y Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad Autonoma de Madrid, c/ Francisco Tomas y Valiente 7, Madrid 28049, Spain;
Bendable Electronics and Sensing Technologies Group, School of Engineering, University of Glasgow, G12 8QQ, UK;
Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Puebla 72570, Mexico;
Institute de Ciencia de Materiales, Consejo Superior de Investigaciones Cientificas, E-28049 Madrid, Spain;
Grupo de Electronica y Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad Autonoma de Madrid, c/ Francisco Tomas y Valiente 7, Madrid 28049, Spain;
Zinc nitride; thin film transistors; humidity sensors; perspiration sensors;
机译:溅射气体的压力和氧含量对通过反应性溅射锌沉积的氮氧化锌薄膜的结构和性能的影响
机译:氮对氮化锌薄膜性能及其转化为p-ZnO:N薄膜的影响
机译:锌(Zn)前体的协同作用对太阳能电池应用氧化锌薄膜微观结构,光学和电性能的影响
机译:氮化锌薄膜:基本性质和应用
机译:使用纳米技术的氧化物和氧化铟锌薄膜的氧化物和氮化物的光学,结构,电和磁性的工程
机译:用于压电应用的氮化铝(002)薄膜的反应溅射:综述
机译:立方氮化物薄膜和工具应用的立方硼氮化物薄膜硬度特性
机译:反应离子镀制备氮化钛和氮化锆薄膜的结构与性能