机译:金属有机气相外延与TBA和DMHy在GaAs上生长高氮含量的InGaAsN薄膜
机译:通过载流子寿命测量,在生长1.3μmInGaAsN-GaAsP-GaAs QW激光器的MOCVD中增加单分子复合
机译:长波长MOCVD生长的InGaAsN-GaAsN量子阱激光器的发射波长为1.378-1.41μm
机译:使用TBA和DMHy光源通过MOCVD生长的1.3μmInGaAsN / GaAs激光器
机译:MOCVD生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的光致发光和共振拉曼光谱。
机译:As2和As4源生长的InGaAs / GaAs量子棒的偏振光反射和光致发光光谱
机译:mOCVD生长的InGaas量子点激光器的温度敏感性
机译:使用四乙基锡作为N型掺杂剂源在Gaas,alGaas和alas中用于mOCVD生长的激光器和布拉格反射器