STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, F 38926 Crolles Cedex, France,LTM, CNRS CEA, 1 avenue des Martyrs, F 38054 Grenoble, France;
STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, F 38926 Crolles Cedex, France;
STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, F 38926 Crolles Cedex, France;
LTM, CNRS CEA, 1 avenue des Martyrs, F 38054 Grenoble, France;
LTM, CNRS CEA, 1 avenue des Martyrs, F 38054 Grenoble, France;
scatterometry; double patterning; overlay; Mueller Matrix ellipsometry;
机译:面向32 nm节点ArF浸没光刻的双图案化材料和工艺的开发
机译:通过电子束光刻对13nm栅极故意缺陷阵列(IDA)晶圆进行构图,以进行缺陷计量评估
机译:193nm浸没式光刻的定量图案塌缩计量学
机译:基于散射的14 nm节点双图案光刻光刻技术
机译:使用先进的计量学和拟合技术对极端紫外光刻光刻胶进行表征。
机译:亚10 nm特征铬光掩模用于方形金属环阵列的接触光刻构图
机译:用于双图案化朝向32nm节点ARF浸入光刻的材料和工艺的开发