Dept. of ECECS, College of Engineering, University of Cincinnati, PO Box 210030, Cincinnati, OH, 45221-0030 USA;
CMOS; VLSI; FPGA; silicon; photodetector; photoreceiver; responsivity; transimpedence amplifier;
机译:用于超低功耗模拟/混合信号应用的口袋注入式绝缘体上硅CMOS器件和电路的亚阈值性能
机译:高速混合信号电路的CMOS性能分析*
机译:用于超低功耗模拟/混合信号应用的双材料门CMOS器件和电路的亚阈值性能
机译:GaN HEMT和Si CMOS在硅衬底上直接单片异构集成实现了高性能混合信号和RF电路
机译:使用光电技术增强了数字和混合信号CMOS电路的专用性能。
机译:机械上灵活的高性能CMOS逻辑电路
机译:通过INP HBT和Si CMOS在硅衬底上的直接单片异构集成使能高性能混合信号电路