Information Display Research Center, Department of Computer System Engineering, Sangmyung Univerisity, Chonan, Korea;
parasitic resistance; methodology; separation; quantification; extraction;
机译:碳化硅MOSFET导通电阻表征和建模的温度依赖性
机译:考虑ECPE的双材料栅极工程纳米级无结环绕栅极MOSFET的亚阈值分析模型
机译:考虑量子力学效应的纳米级无结双栅极MOSFET特征参数建模
机译:纳米尺度MOSFET电阻的建模与表征
机译:4H碳化硅低压MOSFET和功率MOSFET的表征和建模
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:纳米尺度MOSFET中的栅极几何形状的阈值电压变化