机译:纳米MOSFET中栅极长度波动引起的阈值电压和漏极沟槽降低变化的分析建模
机译:超薄体异质沟道MOSFET阈值电压灵敏度对工艺和温度变化的背栅偏置依赖性研究
机译:使用双模式和单模式对阈值电压的影响
机译:阈值 - 电压变化对纳米级CMOS逻辑门的可靠性效应
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:多晶硅栅极增强了随机掺杂剂引起的具有超薄栅极氧化物的亚100nm mOsFET的阈值电压波动
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响