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机译:封装GAN设备的物理化设备模型
机译:p-InGaN层的厚度对具有p-GaN / InGaN异质结的GaN基LED的器件物理和材料质量的影响
机译:AlGaN / GaN HEMT器件中基于物理的I-V和C-V特性的紧凑模型
机译:GaN HEMT功率器件的基于物理的紧凑型器件模型
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:基于物理的TCAD模拟和校准600 V GaN / AlGaN / GaN器件特性及界面陷阱分析
机译:用于提高GaN HEmT高功率放大器效率的材料物理和器件开发