Research Development Center, PI Corporation, Shinnae Technotown #405, 485, Sangbong-Dong, Jungrang-Gu, Seoul, 131-221, Korea;
nanoparticles; powder; island; physical-vapor deposition; substrate rotation;
机译:负衬底偏置电压对离子束沉积初期Cu薄膜成核和生长的影响
机译:负离子偏压对离子束沉积初期Cu薄膜形核和生长的影响
机译:衬底温度和沉积速率对热等离子体沉积铌酸钽-钽酸薄膜初始生长的影响
机译:物理气相沉积中基板旋转在薄膜初始生长中预防核的聚结阶段
机译:在氧化物和金属基底上异质外延氧化物薄膜的初始生长。
机译:二硒化钛薄膜的区域选择性生长低压化学气相沉积成微图案化基材的薄膜沉积
机译:有机薄膜修饰的基板上原子层沉积的初始阶段
机译:外延YBa2Cu3O(7-x)薄膜:扫描隧道显微镜研究外延生长的初始阶段,生长机制和衬底温度的影响。