Science and Technology Dow Corning Compound Semiconductor Solutions AUB1007 P.O. Box 994 Midland MI 48686-0994;
机译:在6H-SiC晶体的PVT生长过程中掺入硼和钒
机译:缺陷转化层通过PVT生长溶液生长在4H-SiC块状晶体中减少TSDS的应用
机译:原位3D计算机断层扫描在4H-SiC PVT生长过程中的应用,用于研究不同生长条件下的原材料消耗
机译:晶体生长条件对SiC PVT生长期间氮气掺入的影响
机译:碳化硅晶体PVT生长的建模和设计。
机译:优化SiC粉末源材料以改善SiC圆棒的PVT生长过程中的工艺条件
机译:SiC粉末源材料的优化,用于改进SiC槽PVT生长过程中的过程条件
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月