TriQuint Semiconductor, 401 River Oaks Parkway, San Jose, CA 95134, USA;
机译:W-CDMA InGaP HBT功率放大器的非线性行为建模,用于预测频谱再生
机译:SiGe HBT用于功率放大器的可靠性-第二部分:基础物理和损伤建模
机译:GaInP / GaAs功率HBT中与偏置相关的击穿和自热的特性和建模,以改善大功率放大器的设计
机译:HVHBT 15W功率放大器的非线性HBT模型
机译:非线性系统识别和分析及其在功率放大器建模和功率放大器预失真中的应用。
机译:多载波LTE功率放大器的增强双非线性两箱行为模型
机译:单频Nd:YLF主振荡器功率放大器,输出功率为15W,1053nm