机译:GaInP / GaAs功率HBT中与偏置相关的击穿和自热的特性和建模,以改善大功率放大器的设计
Faculte des Sci., Inst. de Recherche en Commun. Optiques et Microondes, Limoges, France;
gallium compounds; gallium arsenide; indium compounds; III-V semiconductors; heterojunction bipolar transistors; power bipolar transistors; microwave power transistors; microwave bipolar transistors; semiconductor device models; thermal analysis; sem;
机译:首次演示在X波段具有9.9 W输出功率的高功率GaInP / GaAs HBT MMIC功率放大器
机译:GaInP / GaAs集电极-向上隧穿-集电极异质结双极晶体管(C-up TC-HBT):优化制造工艺和外延层结构以用于高效大功率放大器
机译:高效GaInP / GaAs HBT MMIC功率放大器,在10 GHz时输出功率高达9 W
机译:功率GaInP / GaAs HBT静态和动态击穿的测量和建模
机译:关于提高宽带HBT功率放大器的自发热,线性,效率和失配保护的设计技术。
机译:多载波LTE功率放大器的增强双非线性两箱行为模型
机译:高增益GaInP / GaAs HBT分布式放大器的优化设计和实验特性