集电结电容CBC对HBT功率放大器非线性的影响

摘要

GaAs HBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一,而集电结电容C_(BC)是HBT功率放大器产生非线性的主要参量.文中采用Gummel-Poon晶体管模型分析了HBT C_(BC)随电路偏置变化的规律,给出了C_(BC)随输入功率的变化趋势,并基于Microwave Office软件进行了仿真验证.理论分析及仿真结果表明:C_(BC)随输入信号功率的增大而增大,是功率放大器产生幅度和相位失真的主要原因,最后通过电路设计及测试验证了理论分析及仿真的正确性.