Institute of Microelectronics, NCSR Demokritos, Patriarchou Grigoriou and Neapoleos Strs., Aghia Paraskevi 15310, Greece;
机译:先进SLS ELA多晶硅膜中制造的双栅极TFT的特性
机译:热载流子应力引起的SLS ELA多晶硅TFT退化-栅极宽度变化和器件方向的影响
机译:n-MOS SLS ELA多晶TFT在热载流子应力期间的退化和寿命估计:沟道宽度在Vth≤V_(GS,应力)≤V_(DS,应力)/ 2范围内的影响
机译:动态偏置应力(AC)在玻璃基板上短通道(L =1.5μm)p型多晶硅(Poly-Si)薄膜晶体管(TFT)的影响
机译:双栅极MOSFET中短沟道效应的分析模型。
机译:基于多晶硅TFT的光子计数阵列(PCA)像素内电路的性能
机译:非对称双栅多晶硅TFT的正反沟道特性