机译:热载流子应力引起的SLS ELA多晶硅TFT退化-栅极宽度变化和器件方向的影响
Institute of Microelectronics, NCSR Demokritos, Aghia Paruskevi 153 10, Greece;
thin film transistors; polysilicon; lateral solidification; hot-carrier stress; width-dependent degradation;
机译:n-MOS SLS ELA多晶TFT在热载流子应力期间的退化和寿命估计:沟道宽度在Vth≤V_(GS,应力)≤V_(DS,应力)/ 2范围内的影响
机译:一个新的自洽模型,用于分析轻载漏极(LDD)和栅极重叠的LDD多晶硅TFT中热载流子引起的退化
机译:SLS ELA的新型结晶工艺及其对多晶硅膜缺陷和TFT性能的影响
机译:热载流子引起的偏置栅多晶硅TFT的退化
机译:高场感应应力抑制TFT中的GIDL效应。
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:由于高场,热载流子和辐射应力,n沟道多晶硅TFT的器件性能下降
机译:双极晶体管中热载流子应力与电离诱导退化的相关性